【申请(专利)号】 【名称】 【发明(设计)人】 【地址】 【公开(公告)日】 【详细】
CN87101383.5   钽酸锂晶体极化方法和装置    孟宪林; 徐炳超; 孙友轩   山东省济南市山大南路27号  1989.01.25   点击进入详细信息
CN88104642.6   掺钕和铈的钇铝石榴石晶体的退火技术    翟清永; 应佐庆; 梁泽荣; 石全州; 邓永华; 孙洪建; 肖宗朝   四川省成都市人民南路四段七号  1989.02.15   点击进入详细信息
CN88104515.2   结晶硅酸盐ZSM-11之合成    约翰·保罗·麦威廉斯; 美·凯尼格·鲁宾   美国弗吉尼亚州  1989.02.22   点击进入详细信息
CN89109188.2   制取硅单晶的设备    神尾宽; 岛芳延   日本东京  1990.06.13   点击进入详细信息
CN89109194.7   铌酸盐晶体    彼得·冈特   瑞士巴塞尔  1990.07.04   点击进入详细信息
CN85101617.0   熔盐籽晶法生长低温相偏硼酸钡单晶    江爱栋   福建省福州市西河  1990.09.12   点击进入详细信息
CN89100990.6   半导体致冷取向晶体的制备方法及设备    赵秀平; 李将录; 荣剑英; 赵洪安; 董兴才; 夏德勇   黑龙江省哈尔滨市和兴路24号  1990.09.19   点击进入详细信息
CN90101774.4   从多元氧化物体系生长复合晶体的方法    迪特尔·马蒂伊卡; 埃里希·福尔凯尔; 简·海斯马   荷兰艾恩德霍芬  1990.10.10   点击进入详细信息
CN89102130.2   一种尿素长棒籽晶的生长方法    黄炳荣   350002福建省福州市西河  1990.10.17   点击进入详细信息
CN90102476.7   制造硅单晶的设备    毛利吉男; 荒木健治; 黑田浩一   日本东京都千代田区丸之内一丁目1番2号  1990.10.24   点击进入详细信息
CN90104283.8   一种去除熔体表面浮渣的技术    焦景华; 佘辉; 叶式中   100083北京市912信箱  1990.10.31   点击进入详细信息
CN90102669.7   形成晶体薄膜的方法    石原俊一; 半那纯一   日本国东京  1990.11.28   点击进入详细信息
CN90104389.3   用于连续补给熔料的系统    加里·M·弗里德曼; 劳伦斯·L·佩列茨; 约翰·G·韦里斯   美国马萨诸塞州  1990.12.05   点击进入详细信息
CN90100791.9   单晶硅生产装置    岛芳延; 大村雅纪; 大谷章; 荒木健治   日本东京都  1990.12.19   点击进入详细信息
CN89104593.7   均质掺镁铌酸锂单晶及其制备方法    周燕飞; 王锦昌; 唐连安; 朱泉宝; 谭浩然; 吴跃安   200050上海市长宁区长宁路865号  1991.01.16   点击进入详细信息
CN90103398.7   碳化硅单晶纤维及其制法    让-皮埃尔·迪森; 罗兰·巴奇拉德   法国普托  1991.01.16   点击进入详细信息
CN90102475.9   制造单晶硅的设备    神尾宽; 荒木健治; 兼武; 岛芳延   日本东京都千代田区丸之内1丁目1番2号  1991.01.30   点击进入详细信息
CN89106607.1   一种热释电材料(K 郑吉民; 车云霞; 申泮文   天津市卫津路94号  1991.03.06   点击进入详细信息
CN89106608.X   一种晶形完整的大尺寸电单晶体的制备方法    郑吉民; 车云霞; 申泮文   天津市卫津路94号  1991.03.06   点击进入详细信息
CN89107151.2   高灵敏度热释电单晶体的合成方法    郑吉民; 李兆阳; 车云霞; 申泮文   300071天津市卫津路94号  1991.03.27   点击进入详细信息
CN90109706.3   一种生长星光宝石的方法    王崇鲁; 姚婷; 滑芬; 刘加其; 孙良刚; 常健民; 赵士苹   300232天津市河北区京津公路198号  1991.04.24   点击进入详细信息
CN90102209.8   制造硅单晶设备    中滨泰光; 荒木健治; 神尾宽   日本东京都  1991.05.08   点击进入详细信息
CN90109125.1   硅单晶制造装置    岛芳延; 荒木健治; 神尾宽; 钤木真   日本东京都  1991.05.22   点击进入详细信息
CN89106859.7   彩色水晶的生长方法    徐斌   250100山东省济南市山大南路27号  1991.06.12   点击进入详细信息
CN90109930.9   具有很高热导率的单晶金刚石    托马斯·理查德·安东尼; 威廉·弗兰克·班霍尔策; 詹姆斯·F·弗莱舍; 詹姆斯·W·布雷; 杰罗姆·J·蒂曼; 劳伦斯·比吉奥   美国纽约州  1991.06.19   点击进入详细信息
CN91100010.0   掺铒掺镁铌酸锂单晶的制备    李宝凌; 李文润; 万良风   300072天津市南开区七里台天津大学  1991.06.26   点击进入详细信息
CN90110010.2   高性能α相碳化硅晶须的制造方法    李建保; 黄勇; 王林; 陈少荣; 吴建光; 彭刚   100084北京市海淀区清华园  1991.07.24   点击进入详细信息
CN90101411.7   水热合成用容器    千叶康太郎; ∴中基秀; 河合政征   日本东京  1991.08.14   点击进入详细信息
CN91101558.2   控制晶体生长装置的系统及其熔化物再补给系统    布赖恩·H·麦金托什; 劳伦斯·埃里斯   美国马萨诸塞州  1991.09.25   点击进入详细信息
CN90102828.2   高抗辐照氟化钡BaF 沈定中; 殷之文; 苏伟堂; 潘志雷   200050上海市长宁区长宁路865号  1991.10.09   点击进入详细信息
CN91102023.3   制造硅单晶的设备    岛芳延; 神尾宽; 铃木真   日本东京都  1991.11.06   点击进入详细信息
CN91102343.7   制造单晶硅的装置    神尾宽; 荒木健治; 岛芳延; 钤木真; 兼头武; 中滨泰光; 钤木威; 藤林晃夫   日本东京都  1991.11.06   点击进入详细信息
CN91102532.4   单晶硅生产设备    神尾宽; 荒木健治; 兼头武   日本东京都  1991.11.13   点击进入详细信息
CN91102923.0   单晶硅生产设备    岛芳延; 神尾宽; 铃木真   日本东京都  1991.11.13   点击进入详细信息
CN91102924.9   单晶硅生产设备    兼头武; 神尾宽   日本东京都  1991.11.13   点击进入详细信息
CN91102922.2   单晶硅直径控制法及其设备    川岛章洁; 佐藤晨夫; 大川登志男   日本东京都  1991.11.13   点击进入详细信息
CN90105134.9   高性能β-氮化硅晶晶须的制备方法    周延春; 夏非; 陈声崎   110000辽宁省沈阳市文化路二段六号  1991.12.11   点击进入详细信息
CN91104322.5   透明的多晶石榴石    查尔斯·D·格雷斯科维奇; 威廉·P·明尼尔; 切斯特·R·奥克拉尔; 埃尔多安·O·格尔门; 罗伯特·J·里德纳   美国纽约州  1992.01.08   点击进入详细信息
CN90102894.0   偏硼酸钡(β-BBO)单晶的恒液面提拉法生长    仲维卓; 路治平; 赵天德; 洪慧聪   200050上海市长宁区长宁路865号  1992.01.15   点击进入详细信息
CN91104585.6   同位素纯单晶外延金刚石薄膜及其制备方法    威廉·F·班霍尔泽; 托马斯·R·安东尼; 丹尼斯·M·威廉斯   美国纽约州  1992.01.15   点击进入详细信息
CN91104726.3   边缘限定薄层供料生长法的设备所用湿尖导模    戴维·S·哈维; 布赖恩·H·麦金托什; 丹娜·L·温切斯特; 桑卡灵汉姆·拉金德兰   美国马萨诸塞州  1992.01.22   点击进入详细信息
CN90104725.2   红外气体激光器用光学材料的制法    李光华; 王岩; 王立兵   100088北京市新街口外大街2号  1992.02.05   点击进入详细信息
CN90104945.X   钛酸钡锶晶体光折变器件及其制造方法    庄健; 李敢生; 高宪成; 郭喜彬; 黄亦好; 施真珠; 翁雅英; 吕坚   350002福建省福州市山头角123号  1992.02.05   点击进入详细信息
CN90107021.1   双掺新激光晶体    于亚勤   130022吉林省长春市斯大林大街109号  1992.02.26   点击进入详细信息
CN91109478.4   碘酸钾单晶的单畴化方法    王; 张海龙; 李和平; 肖定全; 焦志峰   610064四川省成都市九眼桥四川大学  1992.03.18   点击进入详细信息
CN91108419.3   用磁悬浮冷坩埚提拉稀土——铁单晶的方法    李强; 张一玲; 袁润章; 黄晓华; 金德江; 李道铭   430070湖北省武汉市珞狮路14号  1992.04.15   点击进入详细信息
CN90102951.3   提高锗酸铋(BGO)晶体抗辐照损伤技术    谢幼玉; 殷之文; 魏宗英; 沈定中   200050上海市长宁区长宁路865号  1992.04.29   点击进入详细信息
CN90106163.8   碘化汞单晶体的制备方法    陈观雄; 李正辉; 朱世富; 银淑君; 冉王俊; 韩斌; 赵北君   610064四川省成都市九眼桥四川大学  1992.05.13   点击进入详细信息
CN90105983.8   厚大成型蓝宝石的生长工艺    俞鹤庆   214062江苏省无锡市河∴口溪北新村20号门502室  1992.06.10   点击进入详细信息
CN90106436.X   一种单晶碳化硅短纤维的制备方法    周延春; 陈声崎; 夏非   110015辽宁省沈阳市文化路二段六号  1992.06.10   点击进入详细信息
CN91111945.0   绿色立方氧化锆晶体的生长方法    张莲花; 王文华; 崇志华   300232天津市河北区京津公路198号  1992.06.24   点击进入详细信息
CN91111061.5   低温制备刚玉单晶磨料的方法    欧阳世翕; 施小红; 吴伯麟; 查从济   430020湖北省武汉市武昌珞狮路14号  1992.07.08   点击进入详细信息
CN91107313.2   钛酸钡四方晶体的生长装置和生长方法    侯印春; 王四亭; 朱洪滨   201800上海市嘉定县嘉定镇清河路390号  1992.08.12   点击进入详细信息
CN92102982.9   高纯莫来石晶须的制备方法    张宗涛; 黄勇; 郑隆烈; 江作昭   100084北京市海淀区清华园  1992.09.23   点击进入详细信息
CN91101682.1   制备半导体单晶用的双层坩埚    王体虎; 秦福; 李英春   100088北京市新街口外大街2号  1992.10.07   点击进入详细信息
CN92104265.5   金红石单晶及其生长工艺    町田博; 福田承生; 千川圭吾   日本东京  1992.12.30   点击进入详细信息
CN92104638.3   金属双晶及三晶体的生长技术和装置    蔡民; 吴希俊; 李光海   230031安徽省合肥市1129信箱  1993.01.13   点击进入详细信息
CN92104643.X   可控双球面锗单晶生长方法及模具    吴雅颂; 李昆; 任敏   650031云南省昆明市园西路5号  1993.01.20   点击进入详细信息
CN91105014.0   钽酸锂单晶的无金极化工艺    张世贵; 王俊林   454151河南省焦作市解放东路91号  1993.01.20   点击进入详细信息
CN92109354.3   利用会切磁场和晶体及坩埚转速的组合控制硅晶体氧含量的方法    R·A·弗雷德里克   美国密苏里州  1993.02.24   点击进入详细信息
CN91107462.7   硅红外滤光片的热处理工艺    谭淞生; 朱建生; 李月珍   200050上海市长宁路865号  1993.02.24   点击进入详细信息
CN91107486.4   直拉法生长锑化镓单晶的方法和装置    吴巨   200050上海市长宁路865号  1993.03.17   点击进入详细信息
CN91106528.8   碘酸钾晶体的去孪去畴方法    吕孟凯   250100山东省济南市山大南路27号  1993.03.17   点击进入详细信息
CN92106554.X   一种复合功能晶体掺镥四硼酸铝钇钕生长工艺    王璞; 潘恒福; 薛旗; 陆宝生   250100山东省济南市山大南路27号  1993.03.31   点击进入详细信息
CN92106692.9   钨青铜光折变晶体及其制备工艺    陈焕矗; 宋永远; 孙大亮; 姜全忠; 吕新亮   250100山东省济南市山大南路27号  1993.04.14   点击进入详细信息
CN92111628.4   钛酸钡单晶的制造方法    黑坂昭人; 友松和彦; 中尾知; 味村彰治; 富永晴夫   日本东京  1993.04.28   点击进入详细信息
CN91107519.4   硅酸铋(BSO)单晶的坩埚下降法生长    何崇藩; 廖晶莹; 沈炳孚; 邵培发; 徐学武; 周乐中; 万立瑾; 王腊妹; 彭兆娟   200050上海市长宁区长宁路865号  1993.05.19   点击进入详细信息
CN92102773.7   三硼酸铯单晶生长方法及用其制作的非线性光学器件    吴以成; 佐佐木孝友   230026安徽省合肥市金寨路96号  1993.06.30   点击进入详细信息
CN92113391.X   能荷载高量客体的层状晶体材料    维克托·I·特雷菲洛夫; 伊万·I·格里戈特切克; 科尔涅伊·D·托夫斯蒂尤克; 扎哈·D·科瓦里尤克; 伊万·D·科茨米克; 博丹·P·巴马蒂尤克   乌克兰基辅  1993.07.14   点击进入详细信息
CN93110359.2   掺杂铌酸锂晶体极化方法和装置    孟宪林; 孙友轩   250100山东省济南市山大南路27号  1993.09.15   点击进入详细信息
CN93101942.7   一种铰链式压机生产金刚石的腔体    吴华源; 吴瑞良; 沈志强; 曾小军; 胡建根   311100浙江省杭州市余杭县塘栖镇张泗洋  1993.09.22   点击进入详细信息
CN92101723.5   掺铬钨酸锌单晶的退火工艺    臧竞存; 武少华; 殷宝璐   100022北京市东郊九龙山北京工业大学  1993.09.29   点击进入详细信息
CN93110394.0   四方相掺杂钽铌酸钾晶体及其生长工艺    王继杨; 魏景谦; 管庆才; 刘耀岗; 邵宗书; 蒋民华   250100山东省济南市山大南路27号  1993.10.20   点击进入详细信息
CN92103031.2   一种材料提纯的方法及其装置    刘健   710072陕西省西安市友谊西路127号  1993.11.03   点击进入详细信息
CN92108125.1   碳化硅晶须原料的制备方法    郑昌琼; 李家杰; 冉均国; 黄杰; 邓杰; 卫志全   610065四川省成都市磨子桥  1993.11.17   点击进入详细信息
CN92108460.9   保护铱坩埚生长掺四价铬高温氧化物晶体的方法    颜声辉; 朱洪滨; 侯印春; 王四亭   201800上海市嘉定县嘉定镇清河路290号  1994.01.05   点击进入详细信息
CN93112445.X   含氮直拉硅单晶的热处理方法    杨德仁; 杨建松; 李立本; 姚鸿年; 阙端磷; 张锦心; 樊瑞新; 张奚文   310027浙江省杭州市玉泉  1994.03.16   点击进入详细信息
CN93112547.2   高灵敏度的近红外光折变掺杂铌酸锂晶体    徐良瑛; 束碧云; 肖兵   200050上海市长宁区定西路1295号  1994.03.23   点击进入详细信息
CN92111115.0   一种宝石级立方金刚石晶体的连续生长方法    张京武   100011北京市德外教场口一号万通公司  1994.04.20   点击进入详细信息
CN92112293.4   三硼酸铯单晶生长方法及用其制作的非线性光学器件    吴以成; 佐佐木孝友   230026安徽省合肥市金寨路96号  1994.04.20   点击进入详细信息
CN92111322.6   非线性光学晶体    冯锡凯; 黄朝恩; 赵书清   100018北京市朝阳区东坝  1994.04.27   点击进入详细信息
CN92112921.1   改进的熔盐籽晶法生长低温相偏硼酸钡单晶    江爱栋   350002福建省福州市西河  1994.05.11   点击进入详细信息
CN92112228.4   电磁场中浮区熔化单晶体(或定向凝固)材料制备方法    葛云龙; 杨院生; 焦育宁; 刘清民; 刘传胜; 胡壮麒   110015辽宁省沈阳市文化路72号  1994.06.29   点击进入详细信息
CN93121298.7   掺钕、铽和铈的钇铝石榴石激光晶体及其制备技术    翟清永; 孙洪健; 应佐庆; 梁泽荣; 石金洲; 吕长青; 张生秀; 吕玉才; 邓永华; 黄永忠; 陈朝元; 肖宗朝   610041四川省成都市人民南路四段七号  1994.06.29   点击进入详细信息
CN93112769.6   立式舟形架和晶片支承件    斯蒂芬·E·普罗亚; 布赖恩D·福斯特   美国马萨诸塞州  1994.08.03   点击进入详细信息
CN94100919.X   超磁致伸缩稀土铁合金棒的制造方法    周谦莉; 宋保钢; 赵晖; 祝景汉   100081北京市西直门外学院南路76号  1994.09.07   点击进入详细信息
CN93102626.1   人造金刚石的生产工艺    蔡福庆   461500河南省长葛县人民路200号  1994.09.21   点击进入详细信息
CN93120036.9   无缺陷氮化硅晶须的制备    张克∴; 袁正; 朱凯培; 莫艳; 邓宗武   100084北京市海淀区清华园  1994.09.28   点击进入详细信息
CN93112391.7   生长大尺寸、高质量氟化铅(PbF2)晶体的新技术    沈定中; 殷之文; 袁湘龙; 洪虹; 张黎星; 李培俊   200050上海市长宁区长宁路865号  1994.10.12   点击进入详细信息
CN93111038.6   钛酸钾晶须制备方法    隗学礼; 赵宽放   110015辽宁省沈阳市沈河区文化路72号  1994.10.19   点击进入详细信息
CN93104979.2   生长多个单晶体的方法和设备    J·D·霍尔达   美国密苏里州  1994.11.02   点击进入详细信息
CN94102764.3   制取固体激光器用的晶体薄膜的方法和装置    熊谷宽; 丰田浩一   日本∴玉县  1994.11.30   点击进入详细信息
CN94107349.1   氧化锌晶须的制备方法及其装置    吴华武; 张宇翔; 张克∴; 徐功骅   100084北京市海淀区清华园  1995.03.08   点击进入详细信息
CN94111823.1   碳还原剂控制氧化锌晶须生长工艺方法    李树尘   610031四川省成都市九里堤  1995.04.26   点击进入详细信息
CN94108158.3   改进的生长硅晶的方法    A·民田   美国密苏里州  1995.05.31   点击进入详细信息
CN94115321.5   多晶氧化铝到蓝宝石的固态热转换    柯蒂斯·E·斯科特; 莱昂内尔·M·莱文森; 伦道夫·E·麦克斯维; 玛丽·S·卡利泽维斯基   美国纽约州  1995.06.14   点击进入详细信息
CN94115347.9   采用籽晶使多晶氧化铝到蓝宝石的固态热转换    柯蒂斯·E·斯科特; 杰克·M·斯托克; 莱昂内尔·M·莱文森   美国纽约州  1995.06.14   点击进入详细信息
CN94119660.7   一种掺钕、铈、铬的钇铝石榴石晶体    桂尤喜; 冀天来; 王永国; 杨浔; 吴树成; 李谊军; 姚广涛; 谷幻英; 朱长水; 张敏; 牛令倩   100015北京市八五一一信箱  1995.09.06   点击进入详细信息
CN94120719.6   晶体生长方法及用该晶体生长方法制备的半导体器件    大川和宏; 三露常男   日本大阪府  1995.09.27   点击进入详细信息
CN94112080.5   大尺寸氟化铈晶体的生长技术    胡关钦; 殷之文; 徐力; 古佩新; 赵元龙; 江金娥   200050上海市定西路1295号  1995.09.27   点击进入详细信息
CN94103623.5   含金刚石膜的SOI集成电路芯片材料及其制作工艺    顾长志; 金曾孙; 吕宪义; 邹广田   130023吉林省长春市解放大路83号  1995.10.04   点击进入详细信息
CN94110185.1   一种人造宝石成型的方法及专用宝石炉    於铁超; 於铁伟   辽宁省锦州市古塔区平安里78-47  1995.10.18   点击进入详细信息
CN94103759.2   新型非线性光学晶体硼铍酸锶    陈创天; 吴柏昌; 王业斌; 曾文荣; 俞琳华; 邹群   350002福建省福州市鼓楼区山头角123号  1995.10.18   点击进入详细信息
CN95100919.2   单晶刚玉的生产方法    陈秋生   556000贵州省凯里市环城西路127号  1995.12.13   点击进入详细信息
CN94108515.5   二阶非线性光学效应的有机包结物大晶体制备    郭文生; 李铁津   116022辽宁省大连市沙河口区黄河路850号  1995.12.13   点击进入详细信息
CN95102002.1   将掺杂的多晶材料转化成单晶材料    柯蒂斯·E·斯科特; 玛丽·S·卡利赛夫斯基; 莱昂内尔·M·莱维森   美国纽约州  1995.12.20   点击进入详细信息
CN94112210.7   下降法生长大尺寸碘化铯(CSI)晶体新技术    沈定中; 殷之文; 袁湘龙; 张黎星; 李培俊; 邓群   200050上海市定西路1295号  1995.12.27   点击进入详细信息
CN94110355.2   纳米非晶原位合成氮化硅晶须    梁勇; 李亚利; 郑丰; 肖克沈   110015辽宁省沈阳市沈河区文化路72号  1996.01.03   点击进入详细信息
CN95110320.2   硫氰酸汞盐单晶的生长方法    袁多荣; 刘明果; 许东; 蒋民华; 侯文博; 方奇   250100山东省济南市山大南路27号  1996.02.28   点击进入详细信息
CN94112294.8   溶剂恒液面提拉生长β-偏硼酸钡的方法    仲维卓; 路治平; 赵天德; 洪慧聪; 华素坤   200050上海市定西路1295号  1996.03.06   点击进入详细信息
CN94191539.5   磁性光学元件    小野寺晃一   日本宫城县  1996.04.03   点击进入详细信息
CN95104010.3   用液相外延法制造氧化物单晶膜的装置    藤野优; 鹰木洋   日本京都  1996.04.17   点击进入详细信息
CN95105487.2   生长具有原子层单位平整度和界面突变的化合物半导体层的气相生长设备和方法    石住隆司; 兼岩进治   日本大阪市  1996.05.22   点击进入详细信息
CN95113354.3   金属有机化合物气相沉积薄膜晶体生长装置    俞振中; 马可军; 何进; 沈寿珍; 许平   200083上海市中山北一路420号  1996.06.05   点击进入详细信息
CN94111519.4   室温制备具有周期电畴的LT、掺杂LN晶体及应用    祝世宁; 朱永元; 闵乃本   210008江苏省南京市汉口路南京大学  1996.06.12   点击进入详细信息
CN94114075.X   钨酸铅(PbWO 廖晶莹; 沈炳孚; 邵培发; 周乐平; 万立瑾; 彭兆娟; 王腊妹; 徐学武   200050上海市定西路1295号  1996.07.03   点击进入详细信息
CN95115493.1   仿祖母绿宝石    陈庆汉; 黄晋蓉   610041四川省成都市人民南路四段七号  1996.07.17   点击进入详细信息
CN95101275.4   金属有机物气相外延制备氮化物单晶薄膜的装置与方法    张国义; 童玉珍; 党小忠; 金泗轩   100871北京市海淀中关村北京大学  1996.07.31   点击进入详细信息
CN95116613.1   热处理前的清洗方法    S·佩洛兹; L·W·施夫   美国密苏里  1996.07.31   点击进入详细信息
CN95111238.4   苯基及取代苯基酰亚胺系有机电子晶体及其制备方法    杨大本; 邓文礼   610054四川省成都市建设北路二段四号  1996.08.14   点击进入详细信息
CN95111114.0   超声制备纳米粒子的方法    张林刚; 陆祖宏; 张波   210018江苏省南京市四牌楼2号  1996.08.21   点击进入详细信息
CN95117532.7   制备单晶的装置和方法    彼特·维尔茨曼; 赫尔穆特·平措佛   联邦德国布格豪森  1996.08.28   点击进入详细信息
CN95120872.1   憎水性硅片的清洗方法    S·皮劳兹; L·W·夏夫   美国密苏里  1996.10.23   点击进入详细信息
CN96116317.8   一种富碲碲化铅材料的制备方法    张素英; 严义埙; 张凤山; 林杏潮; 刘普霖; 朱玲心; 黄泳宝; 张麟; 朱炳生   200083上海市中山北一路420号  1996.11.20   点击进入详细信息
CN96102527.1   单晶硅锭及其制造方法    松原顺一; 三宅雄治; 金刚寺博   日本东京  1996.11.27   点击进入详细信息
CN96100507.6   精密控制硅中氧的沉淀    R·法尔斯特   美国密苏里  1996.11.27   点击进入详细信息
CN94194483.2   由光学闪烁材料制造大的多晶平板的方法    留德米拉·S·戈尔琴科; 阿历克山大·I·伊留克哈; 波得尔·N·奥诺普林科; 福多尔·A·奥萨基; 弗拉基米尔·P·塞米诺琴科; 阿历克山大·A·契尔尼斯诺夫   乌克兰哈尔科夫  1996.12.04   点击进入详细信息
CN95110277.X   一种金属材料单晶的制备技术    陈健; 郑启; 于洋; 唐亚俊; 胡壮麒   110015辽宁省沈阳市沈河区文化路72号  1996.12.11   点击进入详细信息
CN95191160.0   球状晶体的制造方法    中田仗∴   日本 京都府城阳市  1996.12.18   点击进入详细信息
CN95191189.9   整体晶体的生长方法    朝日聪明; 小田修; 佐藤贤次   日本东京都  1996.12.25   点击进入详细信息
CN95191347.6   一种外延反应器,基座和气流系统    文森佐·奥格列里; 佛朗哥·佩蒂; 维托里奥·波泽蒂   意大利 博拉泰  1997.01.01   点击进入详细信息
CN95109704.0   掺镱的钒酸钇激光晶体及其制备方法    郑红; 张劲峰; 姜彦岛; 杨华光; 周键飞; 周棠   100080北京市603信箱  1997.02.19   点击进入详细信息
CN95115643.8   碳化硅纤维生产中的尾气回收方法及装置    张蓬洲; 任兆鑫; 宋丽萍; 温月芳   030001山西省太原市165信箱  1997.04.02   点击进入详细信息
CN95112708.X   自倍频光学超晶格LN,LT晶体生长及相关器件    陆亚林; 陆延青; 薛辰晨; 闵乃本   210093江苏省南京市汉口路22号  1997.04.02   点击进入详细信息
CN96110663.8   由多晶硅炉料制备熔硅熔料的方法    约翰·D·霍尔德   美国密苏里  1997.04.09   点击进入详细信息
CN96107584.8   用于控制硅单晶生长的系统和方法    罗伯特·H·富霍夫   美国密苏里  1997.04.16   点击进入详细信息
CN96111023.6   一种制造硅片的方法    孙容宣; 李东浩   韩国京畿道  1997.04.16   点击进入详细信息
CN96102274.4   硅单晶颈部内消除位错的方法    萨达西万·钱德拉赛卡尔; 金永民   美国明尼苏达州  1997.04.23   点击进入详细信息
CN96108136.8   提纯装置和方法    金曼·罗塞夫; 塞基考·阿莱斯   以色列米格达勒塔芬  1997.04.23   点击进入详细信息
CN96107160.5   利用等离子体约束装置的等离子体蚀刻装置    E·H·伦茨; R·D·迪布尔   美国加利福尼亚州  1997.04.23   点击进入详细信息
CN96109014.6   掺稀土四硼酸铝钆晶体及其生长方法    王继扬; 潘恒福; 魏景谦; 刘耀岗; 田丽莉; 邵宗书; 蒋民华   250100山东省济南市山大南路27号  1997.04.30   点击进入详细信息
CN96102289.2   用于改善无位错性能的表面处理过的坩埚    里查德·L·翰森; 罗伯特·D·谢里; 拉里·E·德拉法; 罗伯特·M·麦卡琴; 约翰·D·霍尔德; 里昂·A·艾伦   美国密苏里  1997.05.14   点击进入详细信息
CN96109106.1   一种制备掺杂钒酸盐单晶的水热生长方法    蒋培植; 肖超亮; 刘晓峰; 许燕萍; 许涛; 李金城; 贾寿泉   100080北京市海淀区中关村南三街8号  1997.05.14   点击进入详细信息
CN95113917.7   一种金属材料单晶的制备技术    陈健; 郑启; 于洋; 唐亚俊; 胡壮麒   110015辽宁省沈阳市沈河区文化路72号  1997.05.21   点击进入详细信息
CN96111030.9   改善无位错单晶的成品率的方法    里昂·A·艾伦   美国密苏里  1997.06.18   点击进入详细信息
CN96116340.2   空穴导电碲镉汞外延材料热处理工艺及装置    杨建荣; 陈新强; 方维政; 郭世平; 张小平; 于梅芳; 乔怡敏; 何力   200083上海市中山北一路420号  1997.06.25   点击进入详细信息
CN96122879.2   炉子用的固体物料供料系统    狄克·S·威廉斯; 威廉·L·露特   美国密苏里州  1997.07.02   点击进入详细信息
CN96110592.5   垂直扩散炉中的载片舟    崔相国; 高赫俊; 安愿植; 徐顺采   韩国京畿道  1997.07.09   点击进入详细信息
CN95194738.9   晶体生长的改进    J·A·贝斯威克   英国汉普郡  1997.08.06   点击进入详细信息
CN96117958.9   用多晶硅原料制备熔硅的方法    K-M·吉姆; L·A·艾伦   美国密苏里  1997.08.20   点击进入详细信息
CN96103026.7   一种大截面磷酸二氢钾单晶体快速生长法    黄炳荣   350002福建省福州市鼓楼区山头角123号  1997.08.20   点击进入详细信息
CN96114008.9   永磁传动Г型导槽试样操纵与籽晶施加机构    魏炳波; 董长星; 曹崇德   710072陕西省西安市碑林区友谊西路127号  1997.08.20   点击进入详细信息
CN96114009.7   空间快速凝固地面模拟方法与实验装置    魏炳波; 董长星; 曹崇德; 王楠   710072陕西省西安市碑林区友谊西路127号  1997.09.10   点击进入详细信息
CN96112038.X   化合物半导体及其可控掺杂    戴维德·J·拉丁; 菲利普·G·奈达克; 安托尼·J·鲍威尔; 劳伦斯·G·马特乌斯   美国俄亥俄  1997.09.17   点击进入详细信息
CN96115136.6   一种高速气相生长金刚石的方法    闻立时; 黄荣芳; 于杰; 陈广超   110015辽宁省沈阳市沈河区文化路72号  1997.09.17   点击进入详细信息
CN96120692.6   抑制长的大直径单晶硅生长条纹的直拉生长装置    匡人渡边   日本国东京都  1997.09.24   点击进入详细信息
CN97101019.6   单晶生长方法    田口裕章; 热海贵; 降屋久; 喜田道夫   日本东京都  1997.10.01   点击进入详细信息
CN97101020.X   拉单晶装置    热海贵; 田口裕章; 降屋久; 喜田道夫   日本东京都  1997.10.01   点击进入详细信息
CN97101233.4   单晶拉制装置    田口裕章; 热海贵; 降屋久; 福井正德; 喜田道夫   日本东京都  1997.10.15   点击进入详细信息
CN97101018.8   拉单晶装置    热海贵; 降屋久; 喜田道夫   日本东京都  1997.10.15   点击进入详细信息
CN96123966.2   单晶提拉装置    田口裕章; 热海贵; 降屋久; 喜田道夫   日本东京都  1997.11.05   点击进入详细信息
CN96123985.9   单晶提拉装置    热海贵; 降屋久; 喜田道夫   日本东京都  1997.11.05   点击进入详细信息
CN96123375.3   半导体材料的制造方法及所用设备    吉野明; 横山敬志; 大森宣典; 山本和马   日本北海道  1997.11.05   点击进入详细信息
CN97100646.6   采用碳纳米管制备氮化物纳米晶须的方法    韩伟强; 范守善; 李群庆; 顾秉林   100084北京市海淀区清华园  1997.11.12   点击进入详细信息
CN97101009.9   拉单晶方法及其实现装置    喜田道夫   日本东京都  1997.11.19   点击进入详细信息
CN96120461.3   一种有序排列的碳纳米管及其制备方法和专用装置    李文治   100080北京市603信箱88分箱  1997.11.19   点击进入详细信息
CN96191057.7   生长单晶的方法    左藤贤次   日本东京都  1997.11.19   点击进入详细信息
CN96107737.9   红、蓝、紫外光发射多孔硅的水热制备法    陈乾旺; 周贵恩; 朱警生; 李晓光; 张裕恒   230026安徽省合肥市金寨路96号  1997.11.26   点击进入详细信息
CN97102232.1   通过化学汽相淀积生产碳化硅的方法和装置    罗兰·鲁普; 约翰尼斯·韦尔克   联邦德国慕尼黑  1997.12.03   点击进入详细信息
CN95196526.3   减少碳化硅外延生长中微管缺陷形成的方法和所得到的碳化硅结构    弗拉迪米·A·德米特伊; 斯维拉纳·V·伦达科瓦; 弗拉迪米·A·伊凡楚; 小卡尔文·H·卡特   美国北卡罗莱纳  1997.12.10   点击进入详细信息
CN97104879.7   含铈磁性石榴石单晶及其制造方法    藤井高志; 关岛雄德; ∴野喜久男; ∴田正胜   日本京都府  1997.12.17   点击进入详细信息
CN97110533.2   防止单晶拉制设备中加热器电极熔化下坠的设备    齐藤正夫; 若林大介; 热海贵; 降屋久   日本东京都  1997.12.31   点击进入详细信息
CN95196006.7   改进的结晶设备和方法    马丁·B·施兰茨   美国伊利诺斯州  1997.12.31   点击进入详细信息
CN96107945.2   转动拉晶机坩埚的装置和方法    史蒂芬·L·金贝尔; 哈罗德·W·科布; 辛西亚·F·霍尔   美国明尼苏达州  1998.01.28   点击进入详细信息
CN97106362.1   固体区熔生长1-3微米碲镉汞晶体材料的方法    刘激鸣; 余中和; 徐震; 王勤; 方家熊; 章莲妹; 唐荷珍; 肖继荣; 陈咬齐   200083上海市中山北一路420号  1998.02.04   点击进入详细信息
CN97112901.0   基于碘化铯的闪烁材料及其制备方法    爱德华·L·维纳格拉特; 瓦伦丁·I·高里兰茨基; 留德米拉·V·高瓦连瓦; 索非亚·P·高尔森诺瓦; 亚历山大·M·库迪; 阿纳托里·I·米奇基; 亚历山德拉·N·巴诺瓦; 弗拉奇米尔·G·普罗申卡; 克拉夫迪·V·夏柯瓦   乌克兰哈尔科夫  1998.02.04   点击进入详细信息
CN96114458.0   与控制硅晶体生长的系统一起使用的无失真摄像机    罗伯特·H·福豪夫   美国密苏里  1998.02.11   点击进入详细信息
CN97113523.1   提拉单晶硅的装置    加藤浩二; 佐藤正行; 高木俊   日本岐阜县  1998.02.18   点击进入详细信息
CN96109539.3   新的单晶冰糖、味精、食盐、白砂糖等生产法    濮宝焕   100086北京市海淀区大钟寺南居委丙4号4门501  1998.03.04   点击进入详细信息
CN96192030.0   用于人造石英晶体的ST切型和AT切型定向籽晶体及其制造方法    约瑟夫F·巴拉西奥; 蒂恩T·努因; 戴维J·韦利; 西奥多E·林德   美国伊利诺伊  1998.03.11   点击进入详细信息
CN96113018.0   从超高纯石英材料冶炼并直接铸锭的设备及至切片制取太阳能级硅片的工艺    解青华   310012浙江省杭州市九莲新村22幢75号101室  1998.03.18   点击进入详细信息
CN97117796.1   氮化镓晶体的制造方法    油利正昭; 上田哲三; 马场孝明   日本大阪府  1998.04.01   点击进入详细信息
CN97117950.6   类金刚石薄膜形成装置和形成方法    ∴田直幸; 山地茂; 中谷元   日本东京  1998.04.08   点击进入详细信息
CN97119363.0   氧化物单晶及其制备方法    鹰木洋; 熊取谷诚人; 福田承生   日本京都府  1998.04.08   点击进入详细信息
CN96192482.9   从包晶熔体获取单晶的方法    福尔克尔·R·托特; 苏凡卡·森古普塔; 时东陆   美国伊利诺斯州  1998.04.08   点击进入详细信息
CN97119290.1   切克劳斯基法生长硅的温度和时间关系的控制方法    哈罗德·W·考伯; 萨达西瓦姆·钱德拉斯克哈尔; 罗伯特·J·法尔斯特; 约瑟夫·C·霍泽尔; 金永民; 斯蒂芬·L·基贝尔; 拉里·E·德拉夫; 塞尔德扬·伊里克   美国密苏里州  1998.04.15   点击进入详细信息
CN96117210.X   一种用电场诱导铌酸锂铁电薄膜取向生长的方法及装置    刘治国; 胡卫生; 冯端   210093江苏省南京市汉口路22号  1998.06.17   点击进入详细信息
CN96122295.6   人造荧光宝石的制作方法    郑岩; 孙焕英; 谢玉钧; 杜春杰; 郑玉宏   130021吉林省长春市延安大路1号周长兴  1998.06.24   点击进入详细信息
CN97118006.7   双立式热处理炉    C·S·李   美国俄亥俄州  1998.07.01   点击进入详细信息
CN97122810.8   控制重掺锑或砷的硅片中氧含量的方法和装置    J·D·霍尔德   美国密苏里  1998.07.29   点击进入详细信息
CN97121888.9   一种钕钡铜氧超导单晶体的制备方法    周廉; 杨万民; 冯勇; 张翠萍; 张平祥; 吴晓祖   710016陕西省西安市51号信箱  1998.07.29   点击进入详细信息
CN97122443.9   半导体圆片的热处理器    M·赫佐; T·D·帕格; T·B·勾尔茨卡; R·S·贝尔曼; H·B·瓦基尔; C·S·胡伊; S·D·思维尔斯丁   美国纽约州  1998.07.29   点击进入详细信息
CN97106255.2   垂直温梯法生长铝酸锂和镓酸锂晶体    邓佩珍; 周永宗   201800上海市800-211邮政信箱  1998.08.05   点击进入详细信息
CN97120319.9   硅单晶的生产方法以及实现该方法的加热装置    维尔弗里德·冯·阿蒙; 埃里希·托姆茨希; 保罗·富克斯; 尤里·盖尔夫加特   联邦德国布格豪森  1998.08.05   点击进入详细信息
CN96195700.X   生产碳化硅单晶的方法    勒内·斯坦; 罗兰·鲁普; 约翰尼斯·沃尔科   联邦德国慕尼黑  1998.08.26   点击进入详细信息
CN97106292.7   自调制激光晶体Cr 徐军; 邓佩珍; 周国清   201800上海市800-211邮政信箱  1998.09.02   点击进入详细信息
CN97126385.X   外加磁场的丘克拉斯基晶体生长系统    佐佐木高士; 小口义广   日本神奈川县  1998.09.09   点击进入详细信息
CN97123469.8   单晶外延沉积的方法和系统    兰斯·G·赫尔维格   美国密苏里州  1998.09.09   点击进入详细信息
CN98100136.X   硅单晶的制造方法及其使用的晶种    阿部孝夫; 木村雅规   日本东京  1998.09.16   点击进入详细信息
CN97107288.4   具有大表面积的单斜晶二氧化锆    J·伍尔夫-多林; W·斯迪彻特; F·舒思   联邦德国路德维希港  1998.10.07   点击进入详细信息
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