| 【申请（专利）号】 |
【名称】 |
【发明（设计）人】 |
【地址】 |
【公开（公告）日】 |
【详细】 |
| CN92112191.1 |
公开（公告） |
谷本孝司 |
日本国大阪府 |
2003.09.24 |
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| 2001.04.04 |
碳化硅金属半导体场效应晶体管和制造碳化硅金属半导体场效应晶体管的方法 |
S·T·阿伦;J·W·帕尔穆尔 |
美国北卡罗来纳州 |
H04J13/02 |
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| CN88104084.3 |
包括多个敏感同轴元件的压电换能器 |
克劳德·博德塞勒 |
法国吕埃 |
1989.01.11 |
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| CN88103828.8 |
用四氮化三硅涂层制造太阳电池的方法 |
罗纳德·Ｃ·贡西奥罗斯基; 乔治·陈尼恩科 |
美国马萨诸塞州 |
1989.01.18 |
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| CN88102631.X |
一种顶部基片连接的CMOS集成电路及其制造方法 |
格雷戈里·J·格鲁拉; 安德烈·I·纳洋 |
美国马萨诸塞州 |
1989.02.15 |
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| CN88106691.5 |
电荷耦合器件 |
阿里·斯洛 |
荷兰艾恩德霍芬 |
1989.02.15 |
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| CN87105354.3 |
高效太阳能电池 |
赖志勤 |
北京市德胜门外公安学校家属院 |
1989.02.15 |
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| CN88104804.6 |
新型半导体基础材料 |
西格弗里德·比尔科; 约翰·卡马迈雅; 罗尔夫·舒尔特; 阿尔布雷希特·温纳卡;
格哈德·里特梅雅 |
联邦德国 慕尼黑 |
1989.02.22 |
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| CN88104425.3 |
用带式自动焊接法焊接的半导体芯片管壳 |
罗尔夫·W·多伊; 史蒂文·P·汉森; 肯尼思·M·布朗 |
美国马萨诸塞州 |
1989.03.01 |
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| CN88106021.6 |
电荷耦合器件 |
吉尔特·简·托马斯·戴维斯; 韦格特·韦尔特西马 |
荷兰 艾恩德霍芬 |
1989.03.01 |
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| CN88106081.X |
制作ＣＭ０Ｓ集成电路的注入井和岛的方法 |
英格·汉斯·爵根·盖勒 |
联邦德国 弗赖贝格 |
1989.03.08 |
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| CN88106274.X |
采用超导材料的电子器件 |
山崎舜平 |
日本神奈川县 |
1989.03.08 |
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| CN87105565.1 |
非晶硅光位置敏感器件 |
苏子敏; 彭少麒 |
广东省广州市新港西路 |
1989.03.15 |
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| CN87101375.4 |
单温区开管扩镓生产晶闸管工艺 |
裴素华; 赵富贤 |
山东省济南市文化东路 |
1989.03.22 |
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| CN88106594.3 |
制作超导图案的方法 |
山崎舜平 |
日本神奈川县 |
1989.03.22 |
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| CN87105243.1 |
焊线 |
浅田荣一; 横山和夫; 矢田昌宏; 平野贤一 |
日本东京 |
1989.03.29 |
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| CN88106077.1 |
具有一个空间调制本征层的薄膜太阳能电池 |
萨亨杜·古哈; 杨纪宗; 斯坦福·Ｒ·奥夫辛斯基 |
美国密歇根州 |
1989.04.05 |
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| CN88106054.2 |
超导器件及其制造 |
山崎舜平 |
日本神奈川县 |
1989.04.05 |
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| CN88109121.9 |
用于电钝化集成电路的一种布局 |
弗林曼·阿夫 |
瑞士日内瓦 |
1989.04.19 |
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| CN88109038.7 |
半导体功率元件 |
厄尔温·克莱恩 |
联邦德国曼海姆 |
1989.04.19 |
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| CN88109699.7 |
一种台面半导体器件钝化工艺及设备 |
刘秀喜 |
山东省济南市文化东路38号 |
1989.05.03 |
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| CN87101127.1 |
非晶硅太阳电池背电极的刻蚀方法 |
钟伯强; 施亚玲; 肖兵; 张秀荣 |
上海市长宁区长宁路865号 |
1989.05.03 |
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| CN88108172.8 |
用于化合物半导体的薄膜层的生长方法 |
松居∴一 |
日本大阪府大阪市 |
1989.05.10 |
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| CN88107590.6 |
用于制造超导氧化物材料的溅射装置及方法 |
山崎舜平 |
日本神奈川县厚木市 |
1989.05.10 |
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| CN88107717.8 |
磷化镓液相外延方法及装置 |
丁祖昌; 华伟民 |
浙江省杭州市玉泉 |
1989.05.31 |
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| CN87101143.3 |
硅低温掺氟氧化方法 |
龙伟; 徐元森; 郑养∴ |
上海市长宁区长宁路865号 |
1989.06.28 |
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| CN88107405.5 |
一种高发光效率的磷化镓外延材料 |
华伟民; 丁祖昌 |
浙江省杭州市玉泉 |
1989.07.05 |
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| CN87108314.0 |
半导体直接键合的工艺方法 |
童勤义; 詹娟; 孙国梁; 徐晓莉 |
江苏省南京市四牌楼2号 |
1989.07.12 |
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| CN88109179.0 |
电路元件 |
亨德里克·范豪敦; 巴特·简·范韦斯 |
荷兰艾恩德霍芬 |
1989.07.12 |
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| CN88107880.8 |
半导体元件及其制造方法 |
克里斯琴·Ｃ·阿巴斯; 彼得·罗格威勒 |
瑞士巴登 |
1989.07.26 |
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| CN88109216.9 |
按图案制造氧化物超导材料薄膜的方法 |
玛丽扎·杰拉达·约瑟法·海曼 |
荷兰艾恩德霍芬 |
1989.08.09 |
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| CN89100454.8 |
在半导体片表面具有金属导线迹的半导体器件的制造方法 |
罗伯特斯·阿德里安纳斯·玛丽亚·达尔特斯; 阿历山大·吉斯伯特斯·马赛厄斯·扬卡斯 |
荷兰艾恩德霍芬 |
1989.08.16 |
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| CN89100478.5 |
半导体器件及其制造方法 |
约翰·内斯·威廉马斯·阿德里安纳斯·范德韦尔登;
亨利卡斯·戈迪弗里达斯·拉斐尔·马斯; 马奎赖特·玛丽亚凯瑟琳娜·范伊尔塞施夫马赫 |
荷兰艾恩德霍芬 |
1989.08.16 |
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| CN89100048.8 |
燃气热电磁控安全阀探测器材料 |
王运朋 |
广东省广州市环市东路西牛北街11栋413号 |
1989.08.16 |
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| CN87102860.3 |
非晶态硅碳氢钝化工艺 |
张仿清; 张亚非; 陈光华 |
甘肃省兰州市天水路78号 |
1989.08.23 |
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| CN88105211.6 |
共地化半导体器件封装件的制造方法 |
苗庆海; 张兴华 |
山东省济南市山大南路27号 |
1989.08.23 |
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| CN89100473.4 |
可关断半导体器件 |
安德烈·杰克林; 沃尔夫冈·齐默曼 |
瑞士巴登 |
1989.08.23 |
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| CN88108454.9 |
ＭＯＳ电路的保护装置 |
乌尔里克·塞里斯; 伯克哈德·吉贝尔 |
联邦德国弗赖堡 |
1989.08.30 |
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| CN88108216.3 |
可切断的半导体器件及带有此器件的电路布置 |
霍斯特·格伦宁 |
瑞士巴登 |
1989.08.30 |
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| CN89105217.8 |
制备叶绿素光伏电池工艺 |
雷钊华; 周瑞令 |
山东省济南市文化东路38号 |
1989.08.30 |
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| CN88100227.5 |
可燃性气体敏感元件 |
何敬文 |
吉林省长春市斯大林大街109号 |
1989.08.30 |
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| CN88109261.4 |
复合氧化物超导薄膜或线材及其制造方法 |
田中三郎; 糸崎秀夫; 桧垣∴次郎; 矢津修示; 上代哲司 |
日本兵库县 |
1989.09.06 |
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| CN88107587.6 |
用红外线炉制造铜厚膜导体的方法 |
小爱德华·安德鲁·海德克; 戴维·罗伯特·塔什勒; 沃尔特·弗朗西斯·耶斯特 |
美国宾夕法尼亚州 |
1989.09.06 |
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| CN88109267.3 |
半导体异质结构 |
迈克尔·安东尼·盖尔 |
英国英格兰 |
1989.09.13 |
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| CN88109184.7 |
可关断的大功率半导体元件及其制造方法 |
霍斯特·格吕宁; 简·沃波里尔 |
瑞士巴登 |
1989.09.13 |
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| CN89100864.0 |
用干法刻蚀多晶硅的局部氧化硅法 |
金达洙 |
南朝鲜汉城特别市 |
1989.09.27 |
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| CN88101555.5 |
ＣＭＯＳ器件用硅片的缺陷控制和利用工艺 |
徐岳生; 张维连; 任丙彦; 林秀俊; 鞠玉林; 吕淑求; 崔德升 |
天津市红桥区丁字沽一号路 |
1989.09.27 |
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| CN88105238.8 |
镓在硅台面管生产中的应用技术 |
林玉松; 李萍 |
山东省济南市文化东路 |
1989.10.11 |
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| CN88101821.X |
离子注入掺杂区域平面显示方法 |
吴苏华 |
上海市邯郸路220号 |
1989.10.11 |
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| CN89101544.2 |
对半导体材料进行热处理的工艺和设备 |
海因里希·索尔布兰德 |
联邦德国慕尼黑 |
1989.10.11 |
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| CN88101830.9 |
两极管钼－铜引线的制作方法 |
彭家骥 |
上海市长乐路191号2号楼 |
1989.10.11 |
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| CN89100835.7 |
光生伏打装置及其制造方法 |
木山精一; 细川弘; 玄野丰 |
日本大阪守口市 |
1989.10.11 |
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| CN88101713.2 |
热电变换器及其制造方法 |
郭存林 |
北京市安外和平西街 |
1989.10.11 |
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| CN88101614.4 |
厚膜超导电子器件及其制造方法 |
林安中; 李汉青 |
北京市新街口外大街2号 |
1989.10.11 |
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| CN89101864.6 |
场效应控制的双极型功率半导体器件及其制造方法 |
弗里德·海姆·鲍尔 |
瑞士巴登 |
1989.10.25 |
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| CN89101825.5 |
ＣＭＯＳ／ＮＭＯＳ集成电路 |
汉斯·尤根·加里; 阿荷德·尤兰霍夫 |
联邦德国弗赖堡 |
1989.11.01 |
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| CN88102598.4 |
半埋栅静电感应晶体管(SIT)的制造方法和器件 |
朱文有 |
宁夏回族自治区银川市宁光电工厂宿舍 |
1989.11.08 |
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| CN89102140.X |
改进的溶液生长硅薄膜的方法 |
马丁·安德鲁·格林; 斯图尔特·罗斯·韦纳姆 |
澳大利亚新南威尔士州 |
1989.11.08 |
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| CN88102204.7 |
掺铟混晶锌扩散源 |
杜国同; 马晓宇 |
吉林省长春市解放大路83号 |
1989.11.08 |
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| CN88102268.3 |
生产串联连接的薄膜太阳电池阵列的方法 |
于尔格·温纳 |
联邦德国哈∴ |
1989.11.08 |
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| CN89101336.9 |
电荷耦合器件 |
艾伯特·约瑟夫·皮埃尔·菲韦森 |
荷兰艾恩德霍芬 |
1989.11.15 |
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| CN89100751.2 |
大功率闸门电路断开的可控硅及其制造方法 |
彼得·罗格威勒 |
瑞士巴登 |
1989.11.15 |
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| CN89102564.2 |
晶片托架 |
罗伯特·Ｄ·科斯 |
美国明尼苏达州 |
1989.11.29 |
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| CN88102659.X |
氢敏半导体器件及其制造方法 |
邹德恕; 王东凤 |
北京市东郊九龙山北京工业大学 |
1989.11.29 |
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| CN88102836.3 |
一种固态开关器件 |
徐鸿达 |
北京市海淀区清华东路 |
1989.12.06 |
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| CN88103460.6 |
偏锡酸锌酒敏元件的制作 |
吴兴惠 |
云南省昆明市翠湖北路52号 |
1989.12.27 |
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| CN89103886.8 |
一种制造太阳能电池接触的改进方法 |
杰克·Ｉ·哈诺卡 |
美国马萨诸塞州 |
1990.01.17 |
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| CN89104526.0 |
半导体器件制造方法 |
约瑟夫斯·马丁纳斯·弗朗西斯卡斯·杰拉达斯·范拉霍芬;
威廉马斯·弗朗西斯卡斯·玛丽·古特善; 迈克尔·弗里德里克·布鲁诺·贝勒森; 董仲之 |
荷兰艾恩德霍芬 |
1990.01.24 |
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| CN89104443.4 |
半导体器件的制造方法－其中在淀积金属的过程中形成金属硅化物 |
伊沃·约翰内斯·马蒂尔达斯·玛丽亚·拉伊梅卡斯 |
荷兰艾恩德霍芬 |
1990.01.24 |
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| CN88105537.9 |
一种金属氧化物半导体场效应晶体管 |
龙伟; 徐元森 |
上海市长宁区长宁路865号 |
1990.01.24 |
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| CN89104039.0 |
采用陶瓷超导元件的逻辑器件和存储器件 |
野岛秀雄; 片冈照荣; 桥爪信郎; 土本修平; 森末道忠 |
日本大阪府大阪市阿倍野区长池町22番22号 |
1990.01.24 |
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| CN88104273.0 |
一种微区敷膜技术与装置 |
孙安纳; 崔莉; 张智宏 |
北京市海淀区清华东路 |
1990.01.31 |
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| CN88104274.9 |
集成电路的保护结构 |
刘忠立; 刘荣环; 和致经 |
北京市海淀区清华东路 |
1990.01.31 |
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| CN89101686.4 |
嵌入数字门阵列中的模拟宏功能 |
爱德娃得·弗朗西丝·卡丽坎恩; 约翰·唐纳德·戴维斯; 约翰·法利·艾维;
斯科特·阿伦·马科伯; 约瑟夫·米卡尔·莫斯利; 阿伦·莱斯利·马尔格拉维;
菲利普·弗兰克·诺特; 克拉伦斯·伊凡·彼得斯恩; 菲利普·艾得娃·彼利茨拉夫 |
美国纽约 |
1990.01.31 |
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| CN89103700.4 |
铁电陶瓷材料 |
牛田善久; 平井仲树; 间濑比吕志 |
日本国东京都 |
1990.01.31 |
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| CN89103701.2 |
铁电陶瓷材料 |
牛田善久; 平井伸树; 间濑比吕志 |
日本东京都 |
1990.01.31 |
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| CN89103436.6 |
电气器件及其制造方法 |
山崎舜平; 石田典也; 坂间光∴; 佐佐木麻里 |
日本神奈川县厚木市 |
1990.02.07 |
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| CN89104925.8 |
放大压电元件位移的装置及制造这种装置的方法 |
坂井田∴夫; 池崎由幸; 入口明; 近∴保二; 井元保雄 |
日本爱知县 |
1990.02.07 |
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| CN89100622.2 |
形成功能沉积膜的方法 |
新井孝至; 金井正博; 川上∴一郎; 村上勉 |
日本东京都 |
1990.02.14 |
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| CN88104435.0 |
磷化镓发光二极管电极制备工艺 |
林秀华; 江炳熙 |
福建省厦门市思明南路422号 |
1990.02.14 |
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| CN89106258.0 |
垂直双极晶体管 |
沙赫·阿克巴; 帕特里西安·拉维勒·克罗森; 赛克·欧古拉; 尼弗·罗维多 |
美国纽约 |
1990.02.28 |
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| CN89106240.8 |
埋层阻档式多孔硅氧化形成硅隔离结构的方法 |
黄宜平; 汤庭 |
上海市邯郸路220号200433 |
1990.03.14 |
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| CN89106675.6 |
电气器件及其利用等离子体加工的制造方法 |
山崎舜平; 浦田一男; 小山到; 石田典也; 佐佐木麻里; 今任慎二; 中下一寿; 广濑直树 |
日本神奈川县 |
1990.03.14 |
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| CN89104647.X |
ＣＭＯＳ晶体管和单电容动态随机存取存储单元及其制造方法 |
桑胡·德胡; 沃尔特·哈维·亨克斯; 尼克·昌春鲁 |
美国纽约 |
1990.03.14 |
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| CN89106453.2 |
超电导晶体管 |
鸣海荣基; 柏亨; 松井正和 |
日本东京都 |
1990.03.14 |
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| CN88106151.4 |
高压垂直扩散场效应管及其制法 |
李思敏 |
北京市沙河镇 |
1990.03.21 |
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| CN89106832.5 |
一种延长功率晶体管寿命的工艺 |
田淑芬; 薛成山; 樊锡君; 庄惠照 |
山东省济南市文化东路38号 250014 |
1990.03.28 |
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| CN89106979.8 |
功率器件的自对准电报 |
马丁·卡尔福斯; 罗伯特·Ａ·古什 |
美国伊利诺斯 |
1990.04.04 |
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| CN89107592.5 |
可关断的半导体元件 |
安德烈·杰克林; 埃扎托尔·拉梅扎尼; 托马斯·弗拉沙克 |
瑞士巴登 |
1990.04.04 |
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| CN89106991.7 |
为非平面型半导体器件形成顶部接触 |
马丁·卡尔福斯; 欧吉恩·Ｌ·福兹 |
美国伊利诺斯州 |
1990.04.04 |
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| CN89108107.0 |
制造太阳能电池阵列的方法 |
朱尔斯·D·利维; 米勒德·J·詹姆; 罗纳德·E·汉尔; 戴维·E·瓦特 |
美国德克萨斯州 |
1990.04.11 |
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| CN89107499.6 |
可控功率半导体元件 |
弗里德赫尔姆·包尔; 霍斯特·格伦宁 |
瑞士巴登 |
1990.04.18 |
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| CN89105612.2 |
压电致动器 |
戈尔顿·沃尔特·卡尔普 |
美国加利福尼亚 |
1990.04.18 |
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| CN89107539.9 |
半导体组件及采用这种组件的计算机 |
田中明; 井上∴一; 山田一二; 宫崎邦夫; 三浦修; 荒川英夫; 横山宏; 永沼义男; 森原淳;
大内和纪 |
日本东京 |
1990.04.25 |
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| CN89108019.8 |
一种制造可关断晶闸管的方法 |
托马斯·弗拉萨克 |
瑞士巴登 |
1990.05.16 |
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| CN89106257.2 |
无应变、无缺陷的外延失配异质结结构及其制备方法 |
马修·佛朗西斯·卡索姆; 彼特·丹尼尔·可西尼; 爱伦·克拉克·沃伦;
杰尼·迈克佛瑞森·伍德尔 |
美国纽约 |
1990.05.16 |
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| CN89104990.8 |
一种制造半导体器件的方法 |
约瑟夫斯·马丁纳斯·弗朗西斯卡斯·杰拉达斯·范拉霍芬 |
荷兰艾恩德霍芬 |
1990.05.16 |
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| CN89108105.4 |
制造太阳能电池阵列的方法 |
朱尔斯·D·利维; 米勒德·J·詹姆; 罗纳德·E·汉尔; 戴维·E·瓦特 |
美国德克萨斯州 |
1990.05.16 |
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| CN89107517.8 |
异质结双极晶体管 |
查克拉巴尼·盖詹·詹姆布特长 |
美国纽约 |
1990.05.23 |
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| CN94107606.7 |
半导体器件及其制造方法 |
张宏勇; 高山彻; 竹村保彦; 宫永昭治 |
日本神奈川县 |
1995.04.05 |
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| CN94104266.9 |
射极耦合逻辑电路的老化方法和装置 |
黑田忠广; 野田诚 |
日本神奈川县 |
1995.04.05 |
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| CN94102804.6 |
半导体器件 |
宫永昭治; 大谷久; 寺本聪 |
日本神奈川县 |
1995.04.05 |
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| CN94104276.6 |
制造金属氧化物半导体场效应晶体管的方法 |
韩晶昱 |
韩国京畿道 |
1995.04.12 |
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| CN94102015.0 |
锯切数字微型镜器件以后的圆片工艺 |
格雷戈里·Ｃ·史密斯 |
美国德克萨斯州 |
1995.04.12 |
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| CN93115356.5 |
具有异型掺杂岛的半导体器件耐压层 |
陈星弼 |
610054四川省成都市建设北路二段四号 |
1995.05.03 |
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| CN94107870.1 |
制造芯片隆起部的方法 |
朴钟汉; 朴春根; 河善镐 |
韩国京畿道 |
1995.05.10 |
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| CN94104922.1 |
形成涂膜的方法和装置 |
长谷部圭藏; 藤本昭浩; 稻田博一; 饭野洋行; 北村晋治; 出口雅敏; 南部光宽 |
日本东京都 |
1995.05.10 |
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| CN94114827.0 |
高集成度半导体布线结构及其制造方法 |
沈相必 |
韩国京畿道 |
1995.05.10 |
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| CN94106935.4 |
具有欧姆电极的氮化镓系Ⅲ-Ｖ族化合物半导体器件及其制造方法 |
中村修二; 山田孝夫; 妹尾雅之; 山田元量; 板东完治 |
日本德岛县 |
1995.05.10 |
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| CN94106710.6 |
半导体集成电路的布图设计方法 |
田中诚; 大西睦; 光安裕子; 野村尚生 |
日本大阪 |
1995.05.10 |
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| CN94109461.8 |
具有电容元件的半导体装置及其制造方法 |
有田浩二; 藤井英治; ∴田恭博; 上本康裕; 那须∴; 松田明浩; 长野能久 |
日本大阪 |
1995.05.17 |
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| CN94108851.0 |
半导体器件及其制造方法 |
张宏勇; 寺本聪 |
日本神奈川县 |
1995.05.24 |
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| CN94102667.1 |
电子器件的同时批量封接和电连接 |
阿尔文·明威·孔; 詹姆斯·春恺·劳; 斯戴文·Ｓ·詹 |
美国加利福尼亚 |
1995.05.31 |
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| CN94108013.7 |
带有可焊引线架的集成电路器件 |
Ｊ·Ａ·阿比斯; Ｉ·Ｖ·卡迪扎; E·J·库德拉克; J·J·梅桑诺 |
美国纽约州 |
1995.05.31 |
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| CN94114834.3 |
半导体器件 |
米田裕; 吉田茂人; 加藤宪一; 山根康邦; 石井裕 |
日本大阪市 |
1995.05.31 |
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| CN94108139.7 |
带有含漏扩展区的MOST的高压半导体器件 |
Ａ·Ｗ·鲁迪胡策 |
荷兰艾恩德霍芬 |
1995.05.31 |
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| CN94107806.X |
精磨半导体晶片的边沿的方法 |
安东·胡贝尔; 乔基姆·琼格 |
联邦德国布格豪森 |
1995.06.07 |
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| CN94107697.0 |
发光二极管及其制造方法 |
海野恒弘; 今野泰一郎 |
日本东京都 |
1995.06.07 |
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| CN94109460.X |
蓝宝石平面上的氧化锌压电晶体膜 |
小池纯; 家木英治 |
日本京都府 |
1995.06.07 |
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| CN94114984.6 |
带有电路化表面保护涂层的芯片载体 |
阿兰·沃尔特·柴斯; 詹姆斯·瓦伦·威尔森 |
美国纽约 |
1995.06.14 |
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| CN93120628.6 |
改良窗层结构的高效发光二极管 |
黄国欣 |
台湾省新竹市东区光复路1段36号10楼之1 |
1995.06.14 |
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| CN94115974.4 |
半导体器件的处理方法,半导体的处理设备和半导体器件的处理设备 |
山崎舜平; 武内晃; 竹村保彦; 岛田浩行 |
日本神奈川县 |
1995.06.28 |
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| CN94115782.2 |
给半导体产品的基片涂膜的装置 |
Ｅ·米尔弗里德; Ｍ·卡利斯; Ｋ·阿皮希 |
联邦德国施特伦费尔斯 |
1995.06.28 |
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| CN94115702.4 |
用于降低串音以改进芯片外的选择性的互连结构 |
大卫德·Ｅ·鲍克曼; 罗伯特·Ｅ·斯坦兹 |
美国伊利诺斯 |
1995.06.28 |
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| CN94106790.4 |
光电转换器 |
宫助守; 上野勇武 |
日本东京都 |
1995.06.28 |
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| CN94112273.5 |
半导体热电器件及其材料的制造方法及设备 |
姚奎鸿; 胡东浩; 张焕林 |
310027浙江省杭州市玉古路20号 |
1995.06.28 |
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| CN94190177.7 |
半导体器件 |
饭岛好隆; 关重彰 |
日本东京都 |
1995.06.28 |
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| CN94109155.4 |
用于半导体激光装置的树脂涂覆方法 |
市川英树; 竹川浩 |
日本大阪市 |
1995.07.05 |
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| CN94112024.4 |
一种用氯化硫钝化Ⅲ-V族半导体表面的方法 |
侯晓远; 李∴深; 蔡卫中; 王为; 丁训民; 董国胜; 王迅 |
200433上海市邯郸路220号 |
1995.07.26 |
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| CN94101212.3 |
集总的局部锯切工艺方法 |
迈克尔·Ａ·米尼亚尔蒂; 拉斐尔·Ｃ·阿尔法罗 |
美国德克萨斯州 |
1995.07.26 |
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| CN94100535.6 |
半导体晶元嵌入电路板的封装方法 |
沈明东 |
台湾省台北市 |
1995.07.26 |
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| CN94117896.X |
稳流半导体集成电路器件及其制造方法 |
齐藤丰; 小山内润; 小岛芳和; 石井和敏 |
日本千叶县 |
1995.07.26 |
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| CN93119316.8 |
半导体元件的电极 |
池田敦; 中村佳夫 |
日本东京 |
1995.08.02 |
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| CN94117079.9 |
半导体器件及其制造方法 |
权宁信; 安升皓 |
韩国京畿道水原市 |
1995.08.02 |
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| CN94102117.3 |
半导体器件 |
名仓英明; 黄∴真睹; 椿和彦; 吉村昌佑 |
日本大阪 |
1995.08.09 |
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| CN94117619.3 |
双注入横向扩散MOS器件及其方法 |
高顿·马强; 哈桑·皮拉斯特法尔; 斯蒂芬·Ｊ·阿德勒 |
美国伊利诺斯州 |
1995.08.09 |
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| CN94119855.3 |
制造半导体集成电路的方法和设备 |
∴并弘充; 胜山清美; 胜山雅则 |
日本东京 |
1995.08.23 |
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| CN94108287.3 |
有抗熔元件的半导体器件及现场可编程门阵列的制造方法 |
高木万里子; 吉井一郎; 波磨薰; 池田直树; 安田浩朗 |
日本神奈川 |
1995.08.23 |
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| CN94112942.X |
侧面有凸缘的密封式半导体器件及其制造方法 |
岸川范夫; 吉田育生; 林田哲哉 |
日本东京 |
1995.08.23 |
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| CN94112813.X |
薄膜半导体集成电路及其制造方法 |
小沼利光; 广木正明; 张宏勇; 山本睦夫; 竹村保彦 |
日本神奈川县 |
1995.08.23 |
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| CN94106509.X |
具有还原／氧化导电材料的半导体器件及其形成方法 |
巴普·Ｄ·马尼亚尔; 雷萨·莫阿扎米; Ｃ·约瑟夫·莫加 |
美国伊利诺斯州 |
1995.08.30 |
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| CN94104325.8 |
密封半导体的树脂片 |
∴野友浩; 丰田良雄; 大野博文; 木村祥一; 韩尾浩幸; 金井真一 |
日本大阪府 |
1995.08.30 |
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| CN94113265.X |
半导体器件 |
吉武伸之; 高仓真二 |
日本东京 |
1995.08.30 |
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| CN94119100.1 |
一种形成薄和厚金属层的方法 |
Ｊ·希门尼斯 |
法国根逖里 |
1995.09.06 |
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| CN94104268.5 |
晶体管及其制造方法 |
张宏勇; 高山彻; 竹村保彦 |
日本神奈川县 |
1995.09.06 |
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| CN94102475.X |
半导体的金属密封模 |
阿部光浩; 山田三勇 |
日本大阪府门真市 |
1995.09.13 |
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| CN94112843.1 |
用氧化层将半导体管芯固定在管芯基座上的电路和方法 |
霍华德·Ｍ·伯格; 桑卡润阿瑞安安·甘尼桑 |
美国伊利诺斯 |
1995.09.13 |
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| CN94114807.6 |
具有金属氧化物电介质的电容器 |
罗伯特·E·琼斯; 帕普·D·曼尼阿尔; 安德鲁·Ｃ·埃贝尔; 雷萨·莫阿扎米 |
美国伊利诺斯州 |
1995.09.13 |
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| CN94113869.0 |
半导体器件及其制造方法 |
竹村保彦; 寺本聪 |
日本神奈川县 |
1995.09.13 |
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| CN94109084.1 |
半导体器件及其制造方法 |
船田文明; 森田达夫; 田仲广久; 张宏勇; 高山∴ |
日本神奈川县 |
1995.09.20 |
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| CN94115591.9 |
电介质形成方法及其设备 |
朴仁善; 李明范; 洪昌基; 金昶圭; 郑佑仁 |
韩国京畿道 |
1995.09.20 |
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| CN94118217.7 |
半导体器件的制造方法 |
若林猛 |
日本东京 |
1995.09.20 |
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| CN94119591.0 |
形成半导体器件接触孔的方法 |
咸泳穆 |
韩国京畿道 |
1995.09.20 |
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| CN94113437.7 |
从塑料封装组件中恢复半导体裸芯片的方法 |
Ｐ·达米奥特 |
美国亚利桑那州 |
1995.09.20 |
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| CN94119444.2 |
半导体器件及其制造方法 |
大谷久; 宫永昭治; 张宏勇; 山口直明; 铃木敦则 |
日本神奈川县厚木市 |
1995.09.20 |
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| CN94116464.0 |
一种敷施粘合剂于微电子芯片的方法 |
Ｊ·赵 |
美国特拉华州 |
1995.09.20 |
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| CN94116968.5 |
集成电路电子信息储存卡及其封装方法 |
胡斌 |
100036北京市万寿路甲15号1号楼601室 |
1995.09.20 |
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| CN94118960.0 |
与半导体芯片配合的封装及其制造方法 |
肯尼斯·Ｃ·兰西; 威廉·Ｊ·米勒; 威廉·Ｍ·斯特罗姆 |
美国伊利诺斯州 |
1995.09.20 |
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| CN94118472.2 |
表面装配的芯片 |
Ｇ·Ｊ·高登齐; Ｊ·Ｍ·莫斯利; Ｖ·Ｊ·图佐罗; Ｊ·Ｃ·米利肯 |
美国纽约 |
1995.09.20 |
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| CN94118713.6 |
带有公共基区的晶体管 |
斯蒂芬·P·罗勃; 威廉·L·弗拉格尔; 鲍尔·Ｊ·格罗尼格 |
美国伊利诺斯州 |
1995.09.20 |
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| CN94115709.1 |
高效率、宽度电可调的场效应晶体管及其实现方法 |
查尔斯·Ｅ·韦策尔; 戴维·Ｊ·霍尔钦 |
美国伊利诺斯 |
1995.09.20 |
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| CN94113205.6 |
具有肖特基隧道势垒的带存储器的开关元件 |
Ｒ·Ｍ·沃尔夫; Ｐ·Ｗ·Ｍ·布罗姆; Ｍ·Ｐ·Ｃ·Ｍ·克里恩 |
荷兰艾恩德霍芬 |
1995.09.20 |
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| CN94118714.4 |
变容二极管及其制作方法 |
伊尔凡·拉西姆; 王伯元; 朱利奥·科斯塔 |
美国伊利诺斯州 |
1995.09.20 |
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| CN94112772.9 |
一种制造半导体器件的方法 |
木谷久; 宫永昭治; 竹山顺一 |
日本神奈川县 |
1995.09.27 |
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| CN94117333.X |
半导体器件及其制造方法 |
竹村保彦 |
日本神奈川县厚木市 |
1995.09.27 |
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| CN94112771.0 |
半导体薄膜及使用这种薄膜的半导体器件的制造方法 |
船井尚; 牧田直树; 山元良高; 森田达夫 |
日本大阪府 |
1995.09.27 |
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| CN94117305.4 |
半导体装置的制造方法 |
吉田岳人; 平尾秀司; 矢野航作 |
日本大阪 |
1995.09.27 |
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| CN94120777.3 |
在多层图形间测量重叠误差的重叠测量标记和方法 |
∴相万 |
韩国京畿道 |
1995.09.27 |
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| CN94115769.5 |
半导体装置及其制造方法 |
矢野航作; 杉山龙男; 上田聪; 野村登 |
日本大阪府 |
1995.09.27 |
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| CN94119896.0 |
半导体装置及其制造方法 |
越智岳雄; 船越久士; ∴田贤造; 若林巍 |
日本大阪 |
1995.09.27 |
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| CN94115352.5 |
带半导体芯片的电子部件 |
粟山长治郎 |
日本京都市 |
1995.09.27 |
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| CN94115277.4 |
内含液体的微电子器件管壳及其制造方法 |
布里安·Ａ·韦伯; 罗伯特·Ｍ·温特沃斯 |
美国伊利诺斯州 |
1995.09.27 |
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| CN94116346.6 |
半导体器件及其制造方法 |
小沼利光; 菅原彰; 上原由起子; 张宏勇; 铃木敦则; 大沼英人; 山口直明; 须泽英臣;
鱼地秀贵; 竹村保彦 |
日本神奈川县厚木市 |
1995.09.27 |
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| CN94113486.5 |
半导体衬底及其制造方法 |
山方宪二; 米原隆夫 |
日本东京都 |
1995.10.04 |
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| CN94117031.4 |
CMOS技术中集成电路极性颠倒的保护 |
卢瑟·布劳斯非尔德 |
联邦德国弗赖堡 |
1995.10.04 |
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| CN94113497.0 |
半导体存储装置 |
金子哲也; 大泽隆 |
日本神奈川县 |
1995.10.04 |
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| CN94113094.0 |
有几个稳定开关状态的隧道二极管 |
Ｒ·Ｍ·沃尔夫; Ｐ·Ｗ·Ｍ·布罗姆; Ｍ·Ｐ·Ｃ·Ｍ·克里恩 |
荷兰艾恩德霍芬 |
1995.10.04 |
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| CN94112820.2 |
制造半导体器件的方法 |
大谷久; 宫永昭治; 福永健司; 张宏勇 |
日本神奈川县 |
1995.10.11 |
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| CN94118819.1 |
制造半导体器件的方法 |
∴相满; 文承∴ |
韩国京畿道利川郡 |
1995.10.11 |
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| CN95100146.9 |
激光照射装置 |
近藤昌树; 前川茂树 |
日本大阪府 |
1995.10.11 |
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| CN94109012.4 |
具有接触结构的半导体器件及其制造方法 |
神力博; 山本浩; 竹安伸行; 小宫隆行; 太田与洋 |
日本神户 |
1995.10.11 |
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| CN94113439.3 |
带有导热支持元件的电子封装件 |
Ｆ·Ｅ·安德罗斯; Ｊ·Ｒ·布普; Ｍ·迪皮特罗; Ｒ·Ｂ·汉默 |
美国亚利桑那州 |
1995.10.18 |
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| CN94112118.6 |
非晶硅/铁电陶瓷复合薄膜及其应用 |
吴道怀; 俞大畏; 陈慧婷; 周章; 王永令 |
200050上海市定西路1295号 |
1995.10.18 |
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| CN95100622.3 |
真空等离子处理装置 |
渡边彰三; 铃木正树; 中山一郎; 奥村智洋 |
日本大阪府 |
1995.10.25 |
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| CN95100600.2 |
包括至少两个功率半导体开关的半导体电源模块和电路装置 |
Ｔ·施托克迈耶; Ｕ·蒂曼 |
瑞士巴登 |
1995.10.25 |
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| CN95100341.0 |
真空处理装置 |
原口秀夫; 铃木正树; 石田敏道 |
日本大阪府门真市 |
1995.11.01 |
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| CN95101648.2 |
可关断半导体器件 |
Ａ·杰克林; Ｅ·拉梅扎尼; Ｐ·洛格韦勒; Ａ·吕格; Ｔ·施托克迈耶; Ｐ·施特赖特;
Ｊ·沃尔德迈耶 |
瑞士巴登 |
1995.11.01 |
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| CN95100630.4 |
超声波引线焊接装置 |
森田真登; 长池胜; 理查德·古勒; 今西诚; 米泽隆弘 |
日本大阪府 |
1995.11.01 |
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| CN95100639.8 |
半导体器件的制造方法 |
那须∴; 长野能久; 松田明浩; 有田浩二; 井上敦雄 |
日本大阪府 |
1995.11.01 |
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| CN94119378.0 |
制造半导体器件的方法 |
大谷久; 宫永昭治; 张宏勇; 山口直明; 铃木敦则 |
日本神奈川 |
1995.11.08 |
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| CN94119364.0 |
半导体器件的制造方法 |
大谷久; 安达广树; 宫永昭治; 高山彻 |
日本神奈川县 |
1995.11.08 |
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| CN94119374.8 |
半导体制作方法及其制作装置 |
大谷久; 安达广树 |
日本神奈川县 |
1995.11.08 |
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| CN94118396.3 |
半导体装置,其工作方法及其制作方法 |
平濑顺司; 赤松宽范; 赤松晋; 堀隆 |
日本大阪 |
1995.11.08 |
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| CN94113397.4 |
半导体装置 |
池部公弘 |
日本神奈川县 |
1995.11.08 |
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| CN94115369.X |
用高温超导材料制成的固体部件 |
Ｊ·博克; Ｓ·尔斯赤讷 |
联邦德国法兰克福 |
1995.11.08 |
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| CN95102938.X |
能量收集芯片型压电谐振组件 |
吉田龙平; 轮岛正哉 |
日本 |
1995.11.08 |
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| CN94190431.8 |
在电可擦编程只读存储器中形成薄隧穿窗口的方法 |
布拉德利·Ｊ·拉森; 唐纳德·Ａ·埃里克森 |
美国加利福尼亚州 |
1995.11.08 |
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| CN94117935.4 |
半导体器件及其制造方法 |
张宏勇; 大沼英人; 山口直明; 竹村保彦 |
日本神奈川县 |
1995.11.15 |
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| CN94119925.8 |
半导体器件及其制造方法 |
张宏勇; 竹村保彦; 山口直明 |
日本神奈川县厚木市 |
1995.11.15 |
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| CN95104503.2 |
半导体装置的制造方法及所用设备 |
船井尚; 牧田直树; 高山彻 |
日本大阪市 |
1995.11.15 |
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